交联电缆屏蔽层的阻抗特性涵盖转移阻抗与转移电容，两者均受频率、材料及结构设计影响，具体如下：

转移阻抗

• 定义：转移阻抗是描述屏蔽层对外部电磁干扰屏蔽效果的重要参数，是频率的函数，通常用实部和虚部或等效的幅度和相位来描述。

• 低频特性：在低频段（一般不超过100kHz），转移阻抗主要呈电阻特性，其值近似等于屏蔽层单位长度的直流阻抗。此时，屏蔽层上的电流主要顺着编织带的方向运动，电流能量消耗的主要因素是屏蔽层导线的阻抗。

• 高频特性：随着频率的升高，电磁场会透过屏蔽层上的编织孔缝，影响电缆内部响应，导致屏蔽性能有所降低。在高频段，屏蔽层上的电流会产生磁场，并以孔隙的方式与电缆芯线互相感应，使得屏蔽层上的电流发生趋肤效应的变化，即屏蔽层表面会聚集高频率的电流，且编织束之间的感应电流会呈现出不均匀的分布状态。因此，高频段的转移阻抗难以用公式准确表达。

• 影响因素：转移阻抗的大小取决于屏蔽层的材料、结构（如编织密度、层数等）以及外部电路的特性（如外部线缆的高度、线半径和电缆附近局部接地板的属性等）。

转移电容

• 定义：转移电容是描述屏蔽层与外部电路之间电容耦合的参数，主要是电抗性的，可以有效地用随频率变化的电容来建模。

• 影响因素：转移电容不仅与屏蔽体有关，还与外部传输线结构有关。其大小取决于屏蔽层的材料、结构以及外部电路的特性。

• 测量方法：屏蔽电缆转移电容的估计一般采用特定的试验配置，通过测量芯线电流和外部源电压来确定。

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